Name: SI4455DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4455DY-T1-GE3TR-ND
Price: 59.048 CZK
Availability: OutOfStock

SI4455DY-T1-GE3 není skladem a lze jej zařadit do zpětné objednávky.

Dostupné náhrady:

Similar

onsemi

Skladem : 414

Jednotková cena : 51,51000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI4455DY-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI4455DY-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI4455DY-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI4455DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI4455DY-T1-GE3
Popis	MOSFET P-CH 150V 2A 8SO
Standardní dodací lhůta výrobce	63 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 150 V 2A (Ta) 5,9W (Tc) Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI4455DY-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 42 nC @ 10 V
Řada TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1190 pF @ 50 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 5,9W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 150 V	Dodávaná velikost pouzdra 8-SOIC
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 2A (Ta)	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Základní číslo produktu SI4455
Rds zap (max) při Id, Vgs 295mOhm při 4A, 10V