Name: SI4455DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4455DY-T1-E3TR-ND
Price: 75.9638 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI4455DY-T1-E3
Číslo produktu DigiKey	SI4455DY-T1-E3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI4455DY-T1-E3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI4455DY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI4455DY-T1-E3
Popis	MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO
Standardní dodací lhůta výrobce	63 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 150 V 2,8A (Tc) 3,1W (Ta), 5,9W (Tc) Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 42 nC @ 10 V
Řada TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1190 pF @ 50 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 3,1W (Ta), 5,9W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 150 V	Dodávaná velikost pouzdra 8-SOIC
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 2,8A (Tc)	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu SI4455
Rds zap (max) při Id, Vgs 295mOhm při 4A, 10V