Name: SI4434ADY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4434ADY-T1-GE3TR-ND
Price: 75.7097 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI4434ADY-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI4434ADY-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI4434ADY-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI4434ADY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI4434ADY-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Standardní dodací lhůta výrobce	42 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 250 V 2,8A (Ta), 4,1A (Tc) 2,9W (Ta), 6W (Tc) Montáž na povrch 8-SO
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 16.5 nC @ 10 V
Řada ThunderFET®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 600 pF @ 125 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 2,9W (Ta), 6W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 250 V	Dodávaná velikost pouzdra 8-SO
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 2,8A (Ta), 4,1A (Tc)	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 7,5V, 10V	Základní číslo produktu SI4434
Rds zap (max) při Id, Vgs 150mOhm při 2,8A, 10V