Name: SI4386DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI4386DY-T1-GE3TR-ND
Price: 64.2752 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI4386DY-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SI4386DY-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SI4386DY-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SI4386DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI4386DY-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Standardní dodací lhůta výrobce	38 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 11A (Ta) 1,47W (Ta) Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 7mOhm při 16A, 10V
Mfr Vishay Siliconix	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA
Řada TrenchFET®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 18 nC @ 4.5 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 1,47W (Ta)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Dodávaná velikost pouzdra 8-SOIC
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 11A (Ta)	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu SI4386

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Náhrady (3)

Objednací číslo	Výrobce	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Číslo produktu DigiKey	Jednotková cena	Typ náhrady
AO4430	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	8 772	785-1028-1-ND	35,91000 Kč	Similar
AO4576	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	6 825	785-1465-1-ND	20,79000 Kč	Similar
FDS8896	onsemi	2 332	FDS8896CT-ND	26,88000 Kč	Similar