Name: SI4288DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4288DY-T1-GE3TR-ND
Price: 52.2357 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI4288DY-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI4288DY-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI4288DY-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI4288DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI4288DY-T1-GE3
Popis	MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SOIC
Standardní dodací lhůta výrobce	38 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 40V 9,2A 3,1W Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI4288DY-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 20mOhm při 10A, 10V
Výrobce Vishay Siliconix	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA
Řada TrenchFET®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 15nC při 10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 580pF při 20V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 3,1W
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 40V	Dodávaná velikost pouzdra 8-SOIC
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 9,2A	Základní číslo produktu SI4288