Name: SI4214DDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4214DDY-T1-GE3TR-ND
Price: 28.7738 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI4214DDY-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI4214DDY-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI4214DDY-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI4214DDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI4214DDY-T1-GE3
Popis	MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Standardní dodací lhůta výrobce	38 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 8,5A 3,1W Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI4214DDY-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 19,5mOhm při 8A, 10V
Výrobce Vishay Siliconix	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA
Řada TrenchFET®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 22nC při 10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 660pF při 15V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 3,1W
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30V	Dodávaná velikost pouzdra 8-SOIC
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 8,5A	Základní číslo produktu SI4214

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 18 170

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)