
SI4143DY-T1-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SI4143DY-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI4143DY-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SI4143DY-T1-GE3 |
Popis | MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO |
Standardní dodací lhůta výrobce | 24 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | P-kanál 30 V 25,3A (Tc) 6W (Tc) Montáž na povrch 8-SOIC |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SI4143DY-T1-GE3 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 30 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 4,5V, 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 6,2mOhm při 12A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 2,5V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 167 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±25V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 6630 pF @ 15 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 6W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TA) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | 8-SOIC | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 24,42000 Kč | 24,42 Kč |
| 10 | 15,36700 Kč | 153,67 Kč |
| 100 | 10,09770 Kč | 1 009,77 Kč |
| 500 | 7,83228 Kč | 3 916,14 Kč |
| 1 000 | 7,10269 Kč | 7 102,69 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 2 500 | 6,31230 Kč | 15 780,75 Kč |
| 5 000 | 5,82382 Kč | 29 119,10 Kč |
| 7 500 | 5,57497 Kč | 41 812,28 Kč |
| 12 500 | 5,29536 Kč | 66 192,00 Kč |
| 17 500 | 5,22303 Kč | 91 403,02 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 24,42000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 29,54820 Kč |










