Name: SI4114DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4114DY-T1-E3TR-ND
Price: 65.6062 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI4114DY-T1-E3
Číslo produktu DigiKey	SI4114DY-T1-E3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI4114DY-T1-E3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI4114DY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI4114DY-T1-E3
Popis	MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Standardní dodací lhůta výrobce	38 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 20 V 20A (Tc) 2,5W (Ta), 5,7W (Tc) Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,1V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 95 nC @ 10 V
Řada TrenchFET®	Vgs (max) ±16V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3700 pF @ 10 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 2,5W (Ta), 5,7W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 20 V	Dodávaná velikost pouzdra 8-SOIC
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 20A (Tc)	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu SI4114
Rds zap (max) při Id, Vgs 6mOhm při 10A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 8 080

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)

Standardní balení výrobce

Jednotková cena bez DPH:	54,22000 Kč
Jednotková cena s DPH:	65,60620 Kč

SI4114DY-T1-E3