Direct
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

SI3460DV-T1-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SI3460DV-T1-GE3-ND - Páska a cívka (TR) |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SI3460DV-T1-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 20 V 5,1A (Ta) 1,1W (Ta) Montáž na povrch 6-TSOP |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Rds zap (max) při Id, Vgs 27mOhm při 5,1A, 4,5V |
Mfr | Vgs(th) (max) při Id 450mV při 1mA (min.) |
Řada | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 20 nC @ 4.5 V |
Balení Páska a cívka (TR) | Vgs (max) ±8V |
Stav součásti Zastaralé | Rozptylový výkon (Max) 1,1W (Ta) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Montáž na povrch |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 20 V | Dodávaná velikost pouzdra 6-TSOP |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 1,8V, 4,5V | Základní číslo produktu |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| SI3460DDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 24 663 | SI3460DDV-T1-GE3CT-ND | 14,91000 Kč | Direct |
| FDC637AN | onsemi | 2 559 | FDC637ANCT-ND | 25,83000 Kč | Similar |
| FDC637BNZ | onsemi | 23 152 | FDC637BNZCT-ND | 15,75000 Kč | Similar |
| IRLMS2002TRPBF | Infineon Technologies | 1 993 | IRLMS2002PBFCT-ND | 19,53000 Kč | Similar |
| NTGS3130NT1G | onsemi | 846 | NTGS3130NT1GOSCT-ND | 25,62000 Kč | Similar |






