Name: SI2336DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2336DS-T1-GE3TR-ND
Price: 20.8362 CZK
Availability: OutOfStock

SI2336DS-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI2336DS-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI2336DS-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI2336DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI2336DS-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3
Standardní dodací lhůta výrobce	49 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 5,2A (Tc) 1,25W (Ta), 1,8W (Tc) Montáž na povrch SOT-23-3 (TO-236)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI2336DS-T1-GE3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	5,2A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,8V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	42mOhm při 3,8A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	15 nC @ 8 V
Vgs (max)	±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	560 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1,25W (Ta), 1,8W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	SOT-23-3 (TO-236)
Pouzdro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo produktu	SI2336

Jednotková cena bez DPH:	17,22000 Kč
Jednotková cena s DPH:	20,83620 Kč

SI2336DS-T1-GE3