Name: SI2329DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2329DS-T1-GE3TR-ND
Price: 25.7367 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI2329DS-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI2329DS-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI2329DS-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI2329DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI2329DS-T1-GE3
Popis	MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
Standardní dodací lhůta výrobce	38 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 8 V 6A (Tc) 2,5W (Tc) Montáž na povrch SOT-23-3 (TO-236)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI2329DS-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 800mV při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 29 nC @ 4.5 V
Řada TrenchFET®	Vgs (max) ±5V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1485 pF @ 4 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 2,5W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 8 V	Dodávaná velikost pouzdra SOT-23-3 (TO-236)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 6A (Tc)	Pouzdro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 1,2V, 4,5V	Základní číslo produktu SI2329
Rds zap (max) při Id, Vgs 30mOhm při 5,3A, 4,5V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 89 176

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)