Name: SI2328DS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2328DS-T1-BE3TR-ND
Price: 46.4277 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI2328DS-T1-BE3
Číslo produktu DigiKey	742-SI2328DS-T1-BE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SI2328DS-T1-BE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SI2328DS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI2328DS-T1-BE3
Popis	N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce	38 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 1,15A (Ta) 730mW (Ta) Montáž na povrch SOT-23-3 (TO-236)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 250mOhm při 1,5A, 10V
Mfr Vishay Siliconix	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 5 nC @ 10 V
Stav součásti Aktivní	Vgs (max) ±20V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 730mW (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 1,15A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra SOT-23-3 (TO-236)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3