Pole MOSFET 60V 370mA 510mW Montáž na povrch SC-70-6
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI1926DL-T1-GE3

Číslo produktu DigiKey
SI1926DL-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR)
SI1926DL-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT)
SI1926DL-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce
SI1926DL-T1-GE3
Popis
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 60V 370mA 510mW Montáž na povrch SC-70-6
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
SI1926DL-T1-GE3 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
Vishay Siliconix
Řada
TrenchFET®
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Zastaralé
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace
2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET
Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
60V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
370mA
Rds zap (max) při Id, Vgs
1,4Ohm při 340mA, 10V
Vgs(th) (max) při Id
2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
1,4nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
18,5pF při 30V
Výkon - max
510mW
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže
Montáž na povrch
Pouzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Dodávaná velikost pouzdra
SC-70-6
Základní číslo produktu
SI1926
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí.