Name: SI1012CR-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1012CR-T1-GE3TR-ND
Price: 12.705 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI1012CR-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI1012CR-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI1012CR-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI1012CR-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI1012CR-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 20V SC75A
Standardní dodací lhůta výrobce	38 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 20 V 630mA (Ta) 240mW (Ta) Montáž na povrch SC-75A
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI1012CR-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 2 nC @ 8 V
Řada TrenchFET®	Vgs (max) ±8V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 43 pF @ 10 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 240mW (Ta)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 20 V	Dodávaná velikost pouzdra SC-75A
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 630mA (Ta)	Pouzdro SC-75, SOT-416
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 1,5V, 4,5V	Základní číslo produktu SI1012
Rds zap (max) při Id, Vgs 396mOhm při 600mA, 4,5V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 134

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)