Name: MXP120A045FE-T1GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-MXP120A045FE-T1GE3TR-ND
Price: 328.73979 CZK
Availability: OutOfStock

Novinka od společnosti DigiKey

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

MXP120A045FE-T1GE3
Číslo produktu DigiKey	742-MXP120A045FE-T1GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-MXP120A045FE-T1GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-MXP120A045FE-T1GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	MXP120A045FE-T1GE3
Popis	SIC MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 49A (Tc) 212W (Tc)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	MaxSiC™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	49A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	18V, 20V
Rds zap (max) při Id, Vgs	56mOhm při 20A, 20V
Vgs(th) (max) při Id	2,38V při 5mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	75.6 nC @ 18 V
Vgs (max)	+22V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1958 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	212W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	-
Dodávaná velikost pouzdra	-
Pouzdro	-

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

K dispozici pro objednání

Zkontrolovat dodací lhůtu

Tento produkt není veden skladem u společnosti DigiKey. Uvedená dodací lhůta se bude vztahovat na dodávku od výrobce do společnosti DigiKey. Společnost DigiKey expeduje produkt po jeho obdržení a vyřídí tak otevřené objednávky.

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Páska a cívka (TR)