N-kanál 60 V 2,5A (Ta) 1,3W (Ta) Průchozí otvor 4-HVMDIP
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRLD024PBF

Číslo produktu DigiKey
IRLD024PBF-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IRLD024PBF
Popis
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 60 V 2,5A (Ta) 1,3W (Ta) Průchozí otvor 4-HVMDIP
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IRLD024PBF Modely
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Vgs(th) (max) při Id
2V při 250µA
Mfr
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
18 nC @ 5 V
Balení
Trubice
Vgs (max)
±10V
Stav součásti
Zastaralé
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
870 pF @ 25 V
Typ tranzistoru FET
Rozptylový výkon (Max)
1,3W (Ta)
Technologie
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
60 V
Způsob montáže
Průchozí otvor
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Dodávaná velikost pouzdra
4-HVMDIP
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4V, 5V
Pouzdro
Rds zap (max) při Id, Vgs
100mOhm při 1,5A, 5V
Základní číslo produktu
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí.