4-DIP
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRLD024PBF

Číslo produktu DigiKey
IRLD024PBF-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IRLD024PBF
Popis
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 60 V 2,5A (Ta) 1,3W (Ta) Průchozí otvor 4-HVMDIP
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IRLD024PBF Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4V, 5V
Rds zap (max) při Id, Vgs
100mOhm při 1,5A, 5V
Vgs(th) (max) při Id
2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
18 nC @ 5 V
Vgs (max)
±10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
870 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
1,3W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
4-HVMDIP
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí.