IRL630S Vishay Siliconix | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRL630S
Číslo produktu DigiKey	IRL630S-ND
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	IRL630S
Popis	MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 200 V 9A (Tc) 3,1W (Ta), 74W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 40 nC @ 10 V
Balení Trubice	Vgs (max) ±10V
Stav součásti Zastaralé	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1100 pF @ 25 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 3,1W (Ta), 74W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 200 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 9A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra TO-263 (D2PAK)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4V, 5V	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Rds zap (max) při Id, Vgs 400mOhm při 5,4A, 5V	Základní číslo produktu IRL630

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Zastaralý

Tento produkt se již nevyrábí.

IRL630S