Name: IRFL210TRPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRFL210TRPBFTR-ND
Price: 20.6668 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRFL210TRPBF
Číslo produktu DigiKey	IRFL210TRPBFTR-ND - Páska a cívka (TR) IRFL210TRPBFCT-ND - Řezaná páska (CT) IRFL210TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	IRFL210TRPBF
Popis	MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
Standardní dodací lhůta výrobce	15 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 200 V 960mA (Tc) 2W (Ta), 3,1W (Tc) Montáž na povrch SOT-223
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	960mA (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,5Ohm při 580mA, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	8.2 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	140 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2W (Ta), 3,1W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	SOT-223
Pouzdro	TO-261-4, TO-261AA
Základní číslo produktu	IRFL210