


IRFBE30SPBF | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | IRFBE30SPBF-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IRFBE30SPBF |
Popis | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK |
Standardní dodací lhůta výrobce | 37 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 800 V 4,1A (Tc) 125W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK) |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | IRFBE30SPBF Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 78 nC @ 10 V |
Balení Trubice | Vgs (max) ±20V |
Stav součásti Aktivní | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1300 pF @ 25 V |
Typ tranzistoru FET | Rozptylový výkon (Max) 125W (Tc) |
Technologie | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 800 V | Způsob montáže Montáž na povrch |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Dodávaná velikost pouzdra TO-263 (D2PAK) |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Pouzdro |
Rds zap (max) při Id, Vgs 3Ohm při 2,5A, 10V | Základní číslo produktu |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| FQB4N80TM | onsemi | 823 | FQB4N80TMCT-ND | 67,15000 Kč | Similar |
| STB7NK80ZT4 | STMicroelectronics | 2 412 | 497-6557-1-ND | 88,01000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 93,22000 Kč | 93,22 Kč |
| 50 | 47,67560 Kč | 2 383,78 Kč |
| 100 | 43,26060 Kč | 4 326,06 Kč |
| 500 | 35,52692 Kč | 17 763,46 Kč |
| 1 000 | 33,04283 Kč | 33 042,83 Kč |
| 2 000 | 30,95499 Kč | 61 909,98 Kč |
| 5 000 | 29,97978 Kč | 149 898,90 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 93,22000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 112,79620 Kč |

