Similar
Similar

IRFB9N65APBF | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | IRFB9N65APBF-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IRFB9N65APBF |
Popis | MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 8,5A (Tc) 167W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | IRFB9N65APBF Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 48 nC @ 10 V |
Balení Trubice | Vgs (max) ±30V |
Stav součásti Zastaralé | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1417 pF @ 25 V |
Typ tranzistoru FET | Rozptylový výkon (Max) 167W (Tc) |
Technologie | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Způsob montáže Průchozí otvor |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Dodávaná velikost pouzdra TO-220AB |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Pouzdro |
Rds zap (max) při Id, Vgs 930mOhm při 5,1A, 10V | Základní číslo produktu |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFP10N80P | IXYS | 240 | IXFP10N80P-ND | 174,49000 Kč | Similar |
| STP9NK65Z | STMicroelectronics | 0 | STP9NK65Z-ND | 33,39102 Kč | Similar |



