IRFB9N65APBF je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


IXYS
Skladem : 240
Jednotková cena : 174,49000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 33,39102 Kč
Katalogový list
N-kanál 650 V 8,5A (Tc) 167W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRFB9N65APBF

Číslo produktu DigiKey
IRFB9N65APBF-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IRFB9N65APBF
Popis
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 8,5A (Tc) 167W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IRFB9N65APBF Modely
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Mfr
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
48 nC @ 10 V
Balení
Trubice
Vgs (max)
±30V
Stav součásti
Zastaralé
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1417 pF @ 25 V
Typ tranzistoru FET
Rozptylový výkon (Max)
167W (Tc)
Technologie
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Způsob montáže
Průchozí otvor
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220AB
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Pouzdro
Rds zap (max) při Id, Vgs
930mOhm při 5,1A, 10V
Základní číslo produktu
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Náhrady (2)
Objednací čísloVýrobce DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍČíslo produktu DigiKey Jednotková cena Typ náhrady
IXFP10N80PIXYS240IXFP10N80P-ND174,49000 KčSimilar
STP9NK65ZSTMicroelectronics0STP9NK65Z-ND33,39102 KčSimilar
Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.