IRFB9N65APBF Vishay Siliconix | Diskrétní polovodičové produkty

IRFB9N65APBF je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

IXYS

Skladem : 240

Jednotková cena : 147,14000 Kč

Similar

STMicroelectronics

Skladem : 0

Jednotková cena : 29,68303 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRFB9N65APBF
Číslo produktu DigiKey	IRFB9N65APBF-ND
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	IRFB9N65APBF
Popis	MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 8,5A (Tc) 167W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IRFB9N65APBF Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	8,5A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	930mOhm při 5,1A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1417 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	167W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-220AB
Pouzdro	TO-220-3
Základní číslo produktu	IRFB9