Name: VS-MPY038P120
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-VS-MPY038P120-ND
Price: 2817.5455 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

VS-MPY038P120
Číslo produktu DigiKey	112-VS-MPY038P120-ND
Výrobce	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Číslo produktu výrobce	VS-MPY038P120
Popis	POWER MODULE, FULL BRIDGE INVERT
Standardní dodací lhůta výrobce	31 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 43A 93W Montáž na šasi
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Řada	-
Balení	Krabice
Stav součásti	Aktivní
Technologie	Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace	4 N-kanál (polomůstek)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	43A
Rds zap (max) při Id, Vgs	49,8mOhm při 40A, 15V
Vgs(th) (max) při Id	3,8V při 10mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	100nC při 15V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2979pF při 1000V
Výkon - max	93W
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na šasi
Pouzdro	Modul
Dodávaná velikost pouzdra	-