VS-ETF150Y65U Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Diskrétní polovodičové produkty

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

VS-ETF150Y65U
Číslo produktu DigiKey	VS-ETF150Y65U-ND
Výrobce	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Číslo produktu výrobce	VS-ETF150Y65U
Popis	IGBT MODULE 650V 142A EMIPAK-2B
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	IGBT modul Rýha Tříúrovňový invertor 650 V 142 A 417 W Montáž na šasi EMIPAK-2B
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory IGBT Moduly IGBT
Výrobce	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Řada	-
Balení	Nosič
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru IGBT	Rýha
Konfigurace	Tříúrovňový invertor
Průrazné napětí kolektor - emitor (max)	650 V
Proud kolektoru (Ic) (max)	142 A
Výkon - max	417 W
Vce(zap) (max) při Vge, Ic	2,06V při 15V, 100A
Zbytkový proud kolektoru (max)	100 µA
Vstupní kapacita (Cies) při Vce	6.6 nF @ 30 V
Vstup	Standardní
Termistor NTC	Ne
Provozní teplota	175°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na šasi
Pouzdro	EMIPAK-2B
Dodávaná velikost pouzdra	EMIPAK-2B
Základní číslo produktu	ETF150