VS-C10ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Diskrétní polovodičové produkty

VS-C10ET07T-M3 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent

Panjit International Inc.

Skladem : 1 961

Jednotková cena : 127,06000 Kč

Parametrický ekvivalent

Panjit International Inc.

Skladem : 2 000

Jednotková cena : 149,77000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

VS-C10ET07T-M3
Číslo produktu DigiKey	751-VS-C10ET07T-M3-ND
Výrobce	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Číslo produktu výrobce	VS-C10ET07T-M3
Popis	DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Dioda 650 V 10A Průchozí otvor TO-220AC

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Diody Usměrňovače Jednoduché diody
Mfr	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Technologie	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Stejnosměrné závěrné napětí (Vr) (max)	650 V
Střední hodnota usměrněného proudu (Io)	10A
Napětí v propustném směru (Vf) (max) při If	1.8 V @ 10 A
Rychlost	Rychlé obnovení stavu =< 500ns, > 200mA (Io)
Zbytkový proud v závěrném směru při Vr	55 µA @ 650 V
Kapacita při Vr, F	430pF při 1V, 1MHz
Způsob montáže	Průchozí otvor
Pouzdro	TO-220-2
Dodávaná velikost pouzdra	TO-220AC
Provozní teplota - přechod	-55°C ~ 175°C
Základní číslo produktu	C10ET07