Name: VS-8EWF12STRR-M3
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: VS-8EWF12STRR-M3-ND
Price: 23.69257 CZK
Availability: OutOfStock

Produkty
Zpět
Výrobci
Zpět
Zdroje
Zpět
- Stavění
- Obsah
- Aplikace a technologie
- Články a blogy
- E-časopisy a e-knihy
- Maker.io
- Knihovna produktového školení
- Tech Forum
- Školení a akce
- Knihovna Videí
- Webináře
- Hledat vše
Zpět
- Nástroje
- Konverzní kalkulačky
- Křížový odkaz
- EDA a vývojové nástroje
- Knihovna referenčních návrhů
- Scheme It
Zpět
- Program a služby
- Automatizace a řízení
- Konstrukční a integrační služby
- Digitální řešení
- IoT řešení
- Sledování součástek
- Produktové služby
Zpět
- Nákup
- Nástroje
- My Lists
- Cenové nabídky
- Produkty
- Výrobci
Požádat o cenovou nabídku

VS-8EWF12STRR-M3
Číslo produktu DigiKey	VS-8EWF12STRR-M3-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Číslo produktu výrobce	VS-8EWF12STRR-M3
Popis	DIODE STANDARD 1200V 8A TO252AA
Standardní dodací lhůta výrobce	21 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Dioda 1200 V 8A Montáž na povrch
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Diody Usměrňovače Jednoduché diody
Mfr	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR)
Stav součásti	Aktivní
Technologie	Standardní
Stejnosměrné závěrné napětí (Vr) (max)	1200 V
Střední hodnota usměrněného proudu (Io)	8A
Napětí v propustném směru (Vf) (max) při If	1.3 V @ 8 A
Rychlost	Rychlé obnovení stavu =< 500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného zotavení (trr)	270 ns
Zbytkový proud v závěrném směru při Vr	100 µA @ 1200 V
Kapacita při Vr, F	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Dodávaná velikost pouzdra	TO-252AA (DPAK)
Provozní teplota - přechod	-40°C ~ 150°C
Základní číslo produktu	8EWF12

Jednotková cena bez DPH:	19,58064 Kč
Jednotková cena s DPH:	23,69257 Kč

VS-8EWF12STRR-M3

Informace

Nápověda

Kontaktujte nás

Sledujte nás