Name: VS-3C10ET12S2L-M3
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-VS-3C10ET12S2L-M3TR-ND
Price: 167.3067 CZK
Availability: InStock

Dioda 1200 V 10A Montáž na povrch TO-263AB (D2PAK)

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

VS-3C10ET12S2L-M3
Číslo produktu DigiKey	112-VS-3C10ET12S2L-M3TR-ND - Páska a cívka (TR) 112-VS-3C10ET12S2L-M3CT-ND - Řezaná páska (CT) 112-VS-3C10ET12S2L-M3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Číslo produktu výrobce	VS-3C10ET12S2L-M3
Popis	DIODE SIL CARB 1200V 10A TO263AB
Standardní dodací lhůta výrobce	15 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Dioda 1200 V 10A Montáž na povrch TO-263AB (D2PAK)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Diody Usměrňovače Jednoduché diody	Rychlost Nulová doba zotavení > 500mA (Io)
Mfr Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Doba zpětného zotavení (trr) 0 ns
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Zbytkový proud v závěrném směru při Vr 60 µA @ 1200 V
Stav součásti Aktivní	Kapacita při Vr, F 38pF při 800V, 1MHz
Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky	Způsob montáže Montáž na povrch
Stejnosměrné závěrné napětí (Vr) (max) 1200 V	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Střední hodnota usměrněného proudu (Io) 10A	Dodávaná velikost pouzdra TO-263AB (D2PAK)
Napětí v propustném směru (Vf) (max) při If 1.5 V @ 10 A	Provozní teplota - přechod -55°C ~ 175°C