Name: ESH1B-M3/5AT
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: ESH1B-M3/5AT-ND
Price: 3.23512 CZK
Availability: OutOfStock

Produkty
Zpět
Výrobci
Zpět
Zdroje
Zpět
- Stavění
- Obsah
- Aplikace a technologie
- Články a blogy
- E-časopisy a e-knihy
- Maker.io
- Knihovna produktového školení
- Tech Forum
- Školení a akce
- Knihovna Videí
- Webináře
- Hledat vše
Zpět
- Nástroje
- Konverzní kalkulačky
- Křížový odkaz
- EDA a vývojové nástroje
- Knihovna referenčních návrhů
- Scheme It
Zpět
- Program a služby
- Automatizace a řízení
- Konstrukční a integrační služby
- Digitální řešení
- IoT řešení
- Sledování součástek
- Produktové služby
Zpět
- Nákup
- Nástroje
- My Lists
- Cenové nabídky
- Produkty
- Výrobci
Požádat o cenovou nabídku

ESH1B-M3/5AT
Číslo produktu DigiKey	ESH1B-M3/5AT-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Číslo produktu výrobce	ESH1B-M3/5AT
Popis	DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC
Standardní dodací lhůta výrobce	10 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Dioda 100 V 1A Montáž na povrch DO-214AC (SMA)
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Diody Usměrňovače Jednoduché diody
Mfr	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR)
Stav součásti	Aktivní
Technologie	Standardní
Stejnosměrné závěrné napětí (Vr) (max)	100 V
Střední hodnota usměrněného proudu (Io)	1A
Napětí v propustném směru (Vf) (max) při If	900 mV @ 1 A
Rychlost	Rychlé obnovení stavu =< 500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného zotavení (trr)	25 ns
Zbytkový proud v závěrném směru při Vr	1 µA @ 100 V
Kapacita při Vr, F	25pF při 4V, 1MHz
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	DO-214AC, SMA
Dodávaná velikost pouzdra	DO-214AC (SMA)
Provozní teplota - přechod	-55°C ~ 175°C
Základní číslo produktu	ESH1

Jednotková cena bez DPH:	2,67365 Kč
Jednotková cena s DPH:	3,23512 Kč

ESH1B-M3/5AT

Informace

Nápověda

Kontaktujte nás

Sledujte nás