Parametrický ekvivalent
Parametrický ekvivalent
Parametrický ekvivalent
Parametrický ekvivalent
Parametrický ekvivalent
Parametrický ekvivalent



BZT52C30-HE3_A-08 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 112-BZT52C30-HE3_A-08TR-ND - Páska a cívka (TR) |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | BZT52C30-HE3_A-08 |
Popis | DIODE ZENER 30V 300MW SOD123 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 28 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Zenerova dioda 30 V 300 mW ±5% Montáž na povrch SOD-123 |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Impedance (max) (Zzt) 80 Ohms |
Mfr | Zbytkový proud v závěrném směru při Vr 100 nA @ 22.5 V |
Řada | Provozní teplota 150°C (TJ) |
Balení Páska a cívka (TR) | Třída Automobilový průmysl |
Stav součásti Aktivní | Kvalifikace AEC-Q101 |
Zenerovo napětí (jmen.) (Vz) | Způsob montáže Montáž na povrch |
Tolerance ±5% | Pouzdro |
Výkon - max 300 mW | Dodávaná velikost pouzdra SOD-123 |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| BZT52B30-HE3_A-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-BZT52B30-HE3_A-08TR-ND | 1,10240 Kč | Parametrický ekvivalent |
| BZT52B30-HE3_A-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-BZT52B30-HE3_A-18TR-ND | 1,45695 Kč | Parametrický ekvivalent |
| BZT52C30-HE3_A-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-BZT52C30-HE3_A-18TR-ND | 1,41695 Kč | Parametrický ekvivalent |
| ABZT52B30-HF | Comchip Technology | 0 | 641-ABZT52B30-HFTR-ND | 1,47798 Kč | Parametrický ekvivalent |
| BZT52B30 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | 2 900 | 5399-BZT52B30CT-ND | 2,73000 Kč | Parametrický ekvivalent |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 15 000 | 1,34414 Kč | 20 162,10 Kč |
| 30 000 | 1,31288 Kč | 39 386,40 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 1,34414 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 1,62641 Kč |





