Parametrický ekvivalent
Parametrický ekvivalent
Parametrický ekvivalent
Parametrický ekvivalent
Parametrický ekvivalent
Parametrický ekvivalent
Parametrický ekvivalent
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar



BZT52C30-G3-08 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | BZT52C30-G3-08-ND - Páska a cívka (TR) |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | BZT52C30-G3-08 |
Popis | DIODE ZENER 30V 410MW SOD123 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 28 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Zenerova dioda 30 V 410 mW ±5% Montáž na povrch SOD-123 |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Impedance (max) (Zzt) 80 Ohms |
Mfr | Zbytkový proud v závěrném směru při Vr 100 nA @ 22.5 V |
Řada | Provozní teplota -55°C ~ 150°C |
Balení Páska a cívka (TR) | Způsob montáže Montáž na povrch |
Stav součásti Aktivní | Pouzdro |
Zenerovo napětí (jmen.) (Vz) | Dodávaná velikost pouzdra SOD-123 |
Tolerance ±5% | Základní číslo produktu |
Výkon - max 410 mW |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| BZT52B30-E3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 14 856 | 112-BZT52B30-E3-08CT-ND | 9,66000 Kč | Parametrický ekvivalent |
| BZT52B30-E3-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BZT52B30-E3-18-ND | 1,64028 Kč | Parametrický ekvivalent |
| BZT52B30-G3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BZT52B30-G3-08-ND | 0,98691 Kč | Parametrický ekvivalent |
| BZT52B30-G3-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BZT52B30-G3-18-ND | 1,33054 Kč | Parametrický ekvivalent |
| BZT52C30-E3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-BZT52C30-E3-08CT-ND | 9,45000 Kč | Parametrický ekvivalent |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 15 000 | 0,87667 Kč | 13 150,05 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 0,87667 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 1,06077 Kč |






