Name: XPH2R106NC,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPH2R106NCL1XHQTR-ND
Price: 78.7589 CZK
Availability: OutOfStock

N-kanál 60 V 110A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) Montáž na povrch 8-SOP rozšířený (5x5)

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

XPH2R106NC,L1XHQ
Číslo produktu DigiKey	264-XPH2R106NCL1XHQTR-ND - Páska a cívka (TR) 264-XPH2R106NCL1XHQCT-ND - Řezaná páska (CT) 264-XPH2R106NCL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	XPH2R106NC,L1XHQ
Popis	MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
Standardní dodací lhůta výrobce	32 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 110A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) Montáž na povrch 8-SOP rozšířený (5x5)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	XPH2R106NC,L1XHQ Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 104 nC @ 10 V
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (max) ±20V
Řada U-MOSVIII-H	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 6900 pF @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Rozptylový výkon (Max) 960mW (Ta), 170W (Tc)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota 175°C
Typ tranzistoru FET N-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 110A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra 8-SOP rozšířený (5x5)
Rds zap (max) při Id, Vgs 2,1mOhm při 55A, 10V	Pouzdro 8-PowerVDFN
Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 1mA	Základní číslo produktu XPH2R106