Name: XPH2R106NC,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPH2R106NCL1XHQTR-ND
Price: 73.0961 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

XPH2R106NC,L1XHQ
Číslo produktu DigiKey	264-XPH2R106NCL1XHQTR-ND - Páska a cívka (TR) 264-XPH2R106NCL1XHQCT-ND - Řezaná páska (CT) 264-XPH2R106NCL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	XPH2R106NC,L1XHQ
Popis	MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
Standardní dodací lhůta výrobce	32 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 110A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) Montáž na povrch 8-SOP rozšířený (5x5)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	XPH2R106NC,L1XHQ Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	U-MOSVIII-H
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	110A (Ta)
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,1mOhm při 55A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	104 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	6900 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	960mW (Ta), 170W (Tc)
Provozní teplota	175°C
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOP rozšířený (5x5)
Pouzdro	8-PowerVDFN
Základní číslo produktu	XPH2R106