Name: TW140N120C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW140N120CS1F-ND
Price: 343.5916 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TW140N120C,S1F
Číslo produktu DigiKey	264-TW140N120CS1F-ND
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TW140N120C,S1F
Popis	G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 140M
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 20A (Tc) 107W (Tc) Průchozí otvor TO-247
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	20A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	182mOhm a 10A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	24 nC @ 18 V
Vgs (max)	+25V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	691 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	107W (Tc)
Provozní teplota	175°C
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-247
Pouzdro	TO-247-3

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 48

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	283,96000 Kč	283,96 Kč
30	172,86967 Kč	5 186,09 Kč
120	149,00767 Kč	17 880,92 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.