Name: TW083Z65C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW083Z65C,S1F-ND
Price: 388.1438 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TW083Z65C,S1F
Číslo produktu DigiKey	264-TW083Z65C,S1F-ND
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TW083Z65C,S1F
Popis	G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 83
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) Průchozí otvor TO-247-4L(X)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	30A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	118mOhm při 15A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	5V při 600µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	28 nC @ 18 V
Vgs (max)	+25V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	873 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	111W (Tc)
Provozní teplota	175°C
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-247-4L(X)
Pouzdro	TO-247-4

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Skladem: 58

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	320,78000 Kč	320,78 Kč
30	223,08933 Kč	6 692,68 Kč
120	213,09958 Kč	25 571,95 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.