N-kanál 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) Průchozí otvor TO-247
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) Průchozí otvor TO-247
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW083N65C,S1F

Číslo produktu DigiKey
264-TW083N65CS1F-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
TW083N65C,S1F
Popis
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
Standardní dodací lhůta výrobce
24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) Průchozí otvor TO-247
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Vgs(th) (max) při Id
5V při 600µA
Mfr
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
28 nC @ 18 V
Balení
Trubice
Vgs (max)
+25V, -10V
Stav součásti
Aktivní
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
873 pF @ 400 V
Typ tranzistoru FET
Rozptylový výkon (Max)
111W (Tc)
Technologie
Provozní teplota
175°C
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Způsob montáže
Průchozí otvor
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Dodávaná velikost pouzdra
TO-247
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
18V
Pouzdro
Rds zap (max) při Id, Vgs
113mOhm a 15A, 18V
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Skladem: 0
Zkontrolovat dodací lhůtu
Požádat o sdělení stavu zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1377,12000 Kč377,12 Kč
30233,33667 Kč7 000,10 Kč
120201,85725 Kč24 222,87 Kč
510189,48061 Kč96 635,11 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:377,12000 Kč
Jednotková cena s DPH:456,31520 Kč