N-kanál 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) Průchozí otvor TO-247
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) Průchozí otvor TO-247
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW083N65C,S1F

Číslo produktu DigiKey
264-TW083N65CS1F-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
TW083N65C,S1F
Popis
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
Standardní dodací lhůta výrobce
24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) Průchozí otvor TO-247
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
18V
Rds zap (max) při Id, Vgs
113mOhm a 15A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
5V při 600µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
28 nC @ 18 V
Vgs (max)
+25V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
873 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
111W (Tc)
Provozní teplota
175°C
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-247
Pouzdro
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 55
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1334,25000 Kč334,25 Kč
30206,82733 Kč6 204,82 Kč
120185,27108 Kč22 232,53 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:334,25000 Kč
Jednotková cena s DPH:404,44250 Kč