Name: TW048N65C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW048N65CS1F-ND
Price: 496.2694 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TW048N65C,S1F
Číslo produktu DigiKey	264-TW048N65CS1F-ND
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TW048N65C,S1F
Popis	G3 650V SIC-MOSFET TO-247 48MOH
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 40A (Tc) 132W (Tc) Průchozí otvor TO-247
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	40A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	65mOhm a 20A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	5V při 1,6mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	41 nC @ 18 V
Vgs (max)	+25V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1362 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	132W (Tc)
Provozní teplota	175°C
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-247
Pouzdro	TO-247-3

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Skladem: 29

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	410,14000 Kč	410,14 Kč
30	258,02800 Kč	7 740,84 Kč
120	239,83142 Kč	28 779,77 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.