N-kanál 1200 V 40A (Tc) 182W (Tc) Průchozí otvor TO-247
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 1200 V 40A (Tc) 182W (Tc) Průchozí otvor TO-247
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW045N120C,S1F

Číslo produktu DigiKey
264-TW045N120CS1F-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
TW045N120C,S1F
Popis
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 45MO
Standardní dodací lhůta výrobce
24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 1200 V 40A (Tc) 182W (Tc) Průchozí otvor TO-247
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
18V
Rds zap (max) při Id, Vgs
59mOhm a 20A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
5V při 6,7mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
57 nC @ 18 V
Vgs (max)
+25V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1969 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
182W (Tc)
Provozní teplota
175°C
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-247
Pouzdro
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 1
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1580,22000 Kč580,22 Kč
30376,82133 Kč11 304,64 Kč
120373,75033 Kč44 850,04 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:580,22000 Kč
Jednotková cena s DPH:702,06620 Kč