N-kanál 650 V 100A (Tc) 342W (Tc) Průchozí otvor TO-247-4L(X)
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 650 V 100A (Tc) 342W (Tc) Průchozí otvor TO-247-4L(X)
TO-247-4

TW015Z65C,S1F

Číslo produktu DigiKey
264-TW015Z65C,S1F-ND
Výrobce
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce
TW015Z65C,S1F
Popis
G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 15
Standardní dodací lhůta výrobce
24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 100A (Tc) 342W (Tc) Průchozí otvor TO-247-4L(X)
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
18V
Rds zap (max) při Id, Vgs
22mOhm při 50A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
5V při 11,7mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
128 nC @ 18 V
Vgs (max)
+25V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
4850 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
342W (Tc)
Provozní teplota
175°C
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-247-4L(X)
Pouzdro
TO-247-4
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 32
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
11 283,82000 Kč1 283,82 Kč
30884,21167 Kč26 526,35 Kč
120882,09975 Kč105 851,97 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:1 283,82000 Kč
Jednotková cena s DPH:1 553,42220 Kč