Name: TW015Z120C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW015Z120C,S1F-ND
Price: 1801.8594 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TW015Z120C,S1F
Číslo produktu DigiKey	264-TW015Z120C,S1F-ND
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TW015Z120C,S1F
Popis	G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 1
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 100A (Tc) 431W (Tc) Průchozí otvor TO-247-4L(X)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	21mOhm a 50A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	5V při 11,7mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	158 nC @ 18 V
Vgs (max)	+25V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	6000 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	431W (Tc)
Provozní teplota	175°C
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-247-4L(X)
Pouzdro	TO-247-4

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Skladem: 58

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	1 489,14000 Kč	1 489,14 Kč
30	1 192,67033 Kč	35 780,11 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.