N-kanál 650 V 100A (Tc) 342W (Tc) Průchozí otvor TO-247
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 650 V 100A (Tc) 342W (Tc) Průchozí otvor TO-247
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW015N65C,S1F

Číslo produktu DigiKey
264-TW015N65CS1F-ND
Výrobce
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce
TW015N65C,S1F
Popis
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOH
Standardní dodací lhůta výrobce
24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 100A (Tc) 342W (Tc) Průchozí otvor TO-247
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
18V
Rds zap (max) při Id, Vgs
21mOhm a 50A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
5V při 11,7mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
128 nC @ 18 V
Vgs (max)
+25V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
4850 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
342W (Tc)
Provozní teplota
175°C
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-247
Pouzdro
TO-247-3
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 24
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
11 380,41000 Kč1 380,41 Kč
30963,78033 Kč28 913,41 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:1 380,41000 Kč
Jednotková cena s DPH:1 670,29610 Kč