Name: TRS4E65H,S1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS4E65H,S1Q-ND
Price: 68.002 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TRS4E65H,S1Q
Číslo produktu DigiKey	264-TRS4E65H,S1Q-ND
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TRS4E65H,S1Q
Popis	DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220L
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Dioda 650 V 4A Průchozí otvor TO-220-2L
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Diody Usměrňovače Jednoduché diody
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Technologie	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Stejnosměrné závěrné napětí (Vr) (max)	650 V
Střední hodnota usměrněného proudu (Io)	4A
Napětí v propustném směru (Vf) (max) při If	1.35 V @ 4 A
Rychlost	Nulová doba obnovy > 500mA (Io)
Doba zpětného zotavení (trr)	0 ns
Zbytkový proud v závěrném směru při Vr	55 µA @ 650 V
Kapacita při Vr, F	263pF při 1V, 1MHz
Způsob montáže	Průchozí otvor
Pouzdro	TO-220-2
Dodávaná velikost pouzdra	TO-220-2L
Provozní teplota - přechod	175°C

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 341

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	56,20000 Kč	56,20 Kč
50	28,83860 Kč	1 441,93 Kč
100	28,59850 Kč	2 859,85 Kč
500	23,17268 Kč	11 586,34 Kč
1 000	21,24134 Kč	21 241,34 Kč
2 000	20,28694 Kč	40 573,88 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.