Name: TRS3E65H,S1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS3E65H,S1Q-ND
Price: 44.3223 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TRS3E65H,S1Q
Číslo produktu DigiKey	264-TRS3E65H,S1Q-ND
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TRS3E65H,S1Q
Popis	DIODE SIL CARBIDE 650V 3A TO220L
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Dioda 650 V 3A Průchozí otvor TO-220-2L
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Diody Usměrňovače Jednoduché diody
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Technologie	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Stejnosměrné závěrné napětí (Vr) (max)	650 V
Střední hodnota usměrněného proudu (Io)	3A
Napětí v propustném směru (Vf) (max) při If	1.35 V @ 3 A
Rychlost	Nulová doba obnovy > 500mA (Io)
Doba zpětného zotavení (trr)	0 ns
Zbytkový proud v závěrném směru při Vr	45 µA @ 650 V
Kapacita při Vr, F	199pF při 1V, 1MHz
Způsob montáže	Průchozí otvor
Pouzdro	TO-220-2
Dodávaná velikost pouzdra	TO-220-2L
Provozní teplota - přechod	175°C

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 376

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	36,63000 Kč	36,63 Kč
50	19,71540 Kč	985,77 Kč
100	19,64180 Kč	1 964,18 Kč
500	18,59768 Kč	9 298,84 Kč
1 000	17,76536 Kč	17 765,36 Kč
2 000	17,73463 Kč	35 469,26 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.