Name: TRS10V65H,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS10V65H,LQTR-ND
Price: 98.3125 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TRS10V65H,LQ
Číslo produktu DigiKey	264-TRS10V65H,LQTR-ND - Páska a cívka (TR) 264-TRS10V65H,LQCT-ND - Řezaná páska (CT) 264-TRS10V65H,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TRS10V65H,LQ
Popis	DIODE SIL CARB 650V 10A 4DFNEP
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Dioda 650 V 10A Montáž na povrch 4-DFN-EP (8x8)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Diody Usměrňovače Jednoduché diody
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Stejnosměrné závěrné napětí (Vr) (max)	650 V
Střední hodnota usměrněného proudu (Io)	10A
Napětí v propustném směru (Vf) (max) při If	1.35 V @ 10 A
Rychlost	Nulová doba obnovy > 500mA (Io)
Doba zpětného zotavení (trr)	0 ns
Zbytkový proud v závěrném směru při Vr	100 µA @ 650 V
Kapacita při Vr, F	649pF při 1V, 1MHz
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	4-VSFN podložka pro odvod tepla
Dodávaná velikost pouzdra	4-DFN-EP (8x8)
Provozní teplota - přechod	175°C