Name: TPN7R506NH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN7R506NHL1QTR-ND
Price: 41.8902 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TPN7R506NH,L1Q
Číslo produktu DigiKey	TPN7R506NHL1QTR-ND - Páska a cívka (TR) TPN7R506NHL1QCT-ND - Řezaná páska (CT) TPN7R506NHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TPN7R506NH,L1Q
Popis	MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 26A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Montáž na povrch 8-TSON rozšířený (3,1x3,1)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TPN7R506NH,L1Q Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 200µA
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 22 nC @ 10 V
Řada U-MOSVIII-H	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1800 pF @ 30 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 700mW (Ta), 42W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Dodávaná velikost pouzdra 8-TSON rozšířený (3,1x3,1)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 26A (Tc)	Pouzdro 8-PowerVDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6,5V, 10V	Základní číslo produktu TPN7R506
Rds zap (max) při Id, Vgs 7,5mOhm při 13A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 8 108

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®