Name: TPH3R10AQM,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH3R10AQMLQTR-ND
Price: 65.1101 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TPH3R10AQM,LQ
Číslo produktu DigiKey	264-TPH3R10AQMLQTR-ND - Páska a cívka (TR) 264-TPH3R10AQMLQCT-ND - Řezaná páska (CT) 264-TPH3R10AQMLQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TPH3R10AQM,LQ
Popis	100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 120A (Tc) 210W (Tc) Montáž na povrch 8-SOP rozšířený (5x5,75)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TPH3R10AQM,LQ Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3,5V při 500µA
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 83 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 7400 pF @ 50 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 210W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota 175°C
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 120A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra 8-SOP rozšířený (5x5,75)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Pouzdro 8-PowerTDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 3,1mOhm při 50A, 10V	Základní číslo produktu TPH3R10

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 1 447

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®