Name: TPH3R10AQM,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH3R10AQMLQTR-ND
Price: 60.742 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TPH3R10AQM,LQ
Číslo produktu DigiKey	264-TPH3R10AQMLQTR-ND - Páska a cívka (TR) 264-TPH3R10AQMLQCT-ND - Řezaná páska (CT) 264-TPH3R10AQMLQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TPH3R10AQM,LQ
Popis	100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 120A (Tc) 210W (Tc) Montáž na povrch 8-SOP rozšířený (5x5,75)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TPH3R10AQM,LQ Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	120A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	3,1mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 500µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	83 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	7400 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	210W (Tc)
Provozní teplota	175°C
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOP rozšířený (5x5,75)
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	TPH3R10