Name: TK6R9P08QM,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK6R9P08QMRQTR-ND
Price: 52.998 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TK6R9P08QM,RQ
Číslo produktu DigiKey	264-TK6R9P08QMRQTR-ND - Páska a cívka (TR) 264-TK6R9P08QMRQCT-ND - Řezaná páska (CT) 264-TK6R9P08QMRQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TK6R9P08QM,RQ
Popis	UMOS10 DPAK 80V 6.9MOHM
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 62A (Tc) 89W (Tc) Montáž na povrch DPAK
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TK6R9P08QM,RQ Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 6,9mOhm při 31A, 10V
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (max) při Id 3,5V při 500µA
Řada U-MOSX-H	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 39 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2700 pF @ 40 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 89W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota 175°C
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 80 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 62A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra DPAK
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63