TK65G10N1,RQ Toshiba Semiconductor and Storage | Diskrétní polovodičové produkty

TK65G10N1,RQ je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

Skladem : 6 726

Jednotková cena : 46,03000 Kč

Similar

onsemi

Skladem : 1 610

Jednotková cena : 56,66000 Kč

Similar

STMicroelectronics

Skladem : 150

Jednotková cena : 84,78000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TK65G10N1,RQ
Číslo produktu DigiKey	TK65G10N1RQTR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TK65G10N1,RQ
Popis	MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 65A (Ta) 156W (Tc) Montáž na povrch D2PAK
Modely EDA/CAD	TK65G10N1,RQ Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	U-MOSVIII-H
Balení	Páska a cívka (TR)
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	65A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	4,5mOhm při 32,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	81 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	5400 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	156W (Tc)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	D2PAK
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	TK65G10