TK65G10N1,RQ je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 4 178
Jednotková cena : 53,12000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 22
Jednotková cena : 109,19000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 49
Jednotková cena : 90,92000 Kč
Katalogový list
N-kanál 100 V 65A (Ta) 156W (Tc) Montáž na povrch D2PAK
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 100 V 65A (Ta) 156W (Tc) Montáž na povrch D2PAK
TK65G10N1,RQ

TK65G10N1,RQ

Číslo produktu DigiKey
TK65G10N1RQTR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
TK65G10N1,RQ
Popis
MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 100 V 65A (Ta) 156W (Tc) Montáž na povrch D2PAK
Modely EDA/CAD
TK65G10N1,RQ Modely
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Vgs(th) (max) při Id
4V při 1mA
Mfr
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
81 nC @ 10 V
Řada
Vgs (max)
±20V
Balení
Páska a cívka (TR)
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
5400 pF @ 50 V
Stav součásti
Zastaralé
Rozptylový výkon (Max)
156W (Tc)
Typ tranzistoru FET
Provozní teplota
150°C (TJ)
Technologie
Způsob montáže
Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
100 V
Dodávaná velikost pouzdra
D2PAK
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Pouzdro
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Základní číslo produktu
Rds zap (max) při Id, Vgs
4,5mOhm při 32,5A, 10V
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Náhrady (3)
Objednací čísloVýrobce DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍČíslo produktu DigiKey Jednotková cena Typ náhrady
TPH3R70APL,L1QToshiba Semiconductor and Storage4 178264-TPH3R70APLL1QCT-ND53,12000 KčSimilar
FDB047N10onsemi22FDB047N10CT-ND109,19000 KčSimilar
STH150N10F7-2STMicroelectronics49497-14979-1-ND90,92000 KčSimilar
Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.