TK65G10N1,RQ je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar

TPH3R70APL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 4 453
Jednotková cena : 2,02000 Kč
Katalogový list

Similar

FDB047N10
onsemi
Skladem : 3
Jednotková cena : 4,16000 Kč
Katalogový list

Similar

STH150N10F7-2
STMicroelectronics
Skladem : 1 125
Jednotková cena : 3,47000 Kč
Katalogový list
Zobrazit a porovnat všechny náhrady
N-kanál 100 V 65A (Ta) 156W (Tc) Montáž na povrch D2PAK
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 100 V 65A (Ta) 156W (Tc) Montáž na povrch D2PAK
TK65G10N1,RQ

TK65G10N1,RQ

Číslo produktu DigiKey
TK65G10N1RQTR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce
TK65G10N1,RQ
Popis
MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 100 V 65A (Ta) 156W (Tc) Montáž na povrch D2PAK
Modely EDA/CAD
TK65G10N1,RQ Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Řada
U-MOSVIII-H
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
65A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
4,5mOhm při 32,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
5400 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
156W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
D2PAK
Pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu
TK65G10
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.