Name: TK290P60Y,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK290P60YRQTR-ND
Price: 77.7183 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TK290P60Y,RQ
Číslo produktu DigiKey	TK290P60YRQTR-ND - Páska a cívka (TR) TK290P60YRQCT-ND - Řezaná páska (CT) TK290P60YRQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TK290P60Y,RQ
Popis	MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 11,5A (Tc) 100W (Tc) Montáž na povrch DPAK
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TK290P60Y,RQ Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 450µA
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 25 nC @ 10 V
Řada DTMOSV	Vgs (max) ±30V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 730 pF @ 300 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 100W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 600 V	Dodávaná velikost pouzdra DPAK
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 11,5A (Tc)	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu TK290P60
Rds zap (max) při Id, Vgs 290mOhm při 5,8A, 10V