Name: TK15S04N1L,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK15S04N1LLQTR-ND
Price: 59.2053 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TK15S04N1L,LQ
Číslo produktu DigiKey	TK15S04N1LLQTR-ND - Páska a cívka (TR) TK15S04N1LLQCT-ND - Řezaná páska (CT) TK15S04N1LLQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TK15S04N1L,LQ
Popis	MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 15A (Ta) 46W (Tc) Montáž na povrch DPAK+
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TK15S04N1L,LQ Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 10 nC @ 10 V
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (max) ±20V
Řada U-MOSVIII-H	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 610 pF @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Rozptylový výkon (Max) 46W (Tc)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota 175°C (TJ)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 40 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 15A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra DPAK+
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Rds zap (max) při Id, Vgs 17,8mOhm při 7,5A, 10V	Základní číslo produktu TK15S04
Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 100µA