Name: TK13A55DA(STA4,QM)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK13A55DA(STA4QM)-ND
Price: 95.0092 CZK
Availability: OutOfStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

Informace

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

Kontaktujte nás

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

TK13A55DA(STA4,QM)
Číslo produktu DigiKey	TK13A55DA(STA4QM)-ND
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TK13A55DA(STA4,QM)
Popis	MOSFET N-CH 550V 12.5A TO220SIS
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 550 V 12,5A (Ta) 45W (Tc) Průchozí otvor TO-220SIS
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	π-MOSVII
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	550 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	12,5A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	480mOhm při 6,3A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	38 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1800 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	45W (Tc)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-220SIS
Pouzdro	Plná výzbroj TO-220-3
Základní číslo produktu	TK13A55

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	78,52000 Kč	78,52 Kč
50	39,83500 Kč	1 991,75 Kč
100	36,09020 Kč	3 609,02 Kč
500	29,52516 Kč	14 762,58 Kč
1 000	27,41636 Kč	27 416,36 Kč
2 000	27,02294 Kč	54 045,88 Kč

Jednotková cena bez DPH:	78,52000 Kč
Jednotková cena s DPH:	95,00920 Kč

TK13A55DA(STA4,QM)

Informace

Nápověda

Kontaktujte nás

Sledujte nás