Name: TK12A55D(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK12A55D(STA4QM)-ND
Price: 87.362 CZK
Availability: OutOfStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

Informace

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

Kontaktujte nás

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

TK12A55D(STA4,Q,M)
Číslo produktu DigiKey	TK12A55D(STA4QM)-ND
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TK12A55D(STA4,Q,M)
Popis	MOSFET N-CH 550V 12A TO220SIS
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 550 V 12A (Ta) 45W (Tc) Průchozí otvor TO-220SIS
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	π-MOSVII
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	550 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	12A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	570mOhm při 6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1550 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	45W (Tc)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-220SIS
Pouzdro	Plná výzbroj TO-220-3
Základní číslo produktu	TK12A55

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	72,20000 Kč	72,20 Kč
50	36,41660 Kč	1 820,83 Kč
100	32,94110 Kč	3 294,11 Kč
500	26,84718 Kč	13 423,59 Kč
1 000	24,88952 Kč	24 889,52 Kč
2 000	24,15488 Kč	48 309,76 Kč

Jednotková cena bez DPH:	72,20000 Kč
Jednotková cena s DPH:	87,36200 Kč

TK12A55D(STA4,Q,M)

Informace

Nápověda

Kontaktujte nás

Sledujte nás