Name: TJ90S04M3L,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ90S04M3L,LQTR-ND
Price: 79.2429 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TJ90S04M3L,LQ
Číslo produktu DigiKey	264-TJ90S04M3L,LQTR-ND - Páska a cívka (TR) 264-TJ90S04M3L,LQCT-ND - Řezaná páska (CT) 264-TJ90S04M3L,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TJ90S04M3L,LQ
Popis	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 40 V 90A (Ta) 180W (Tc) Montáž na povrch DPAK+
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2V při 1mA
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 172 nC @ 10 V
Řada U-MOSVI	Vgs (max) +10V, -20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 7700 pF @ 10 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 180W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota 175°C
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 40 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 90A (Ta)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Dodávaná velikost pouzdra DPAK+
Rds zap (max) při Id, Vgs 4,3mOhm při 45A, 10V	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63