Name: TJ90S04M3L,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ90S04M3L,LQTR-ND
Price: 64.5172 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

TJ90S04M3L,LQ
Číslo produktu DigiKey	264-TJ90S04M3L,LQTR-ND - Páska a cívka (TR) 264-TJ90S04M3L,LQCT-ND - Řezaná páska (CT) 264-TJ90S04M3L,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TJ90S04M3L,LQ
Popis	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 40 V 90A (Ta) 180W (Tc) Montáž na povrch DPAK+
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	U-MOSVI
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	90A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	4,3mOhm při 45A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	172 nC @ 10 V
Vgs (max)	+10V, -20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	7700 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	180W (Tc)
Provozní teplota	175°C
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	DPAK+
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63

Jednotková cena bez DPH:	53,32000 Kč
Jednotková cena s DPH:	64,51720 Kč

TJ90S04M3L,LQ