Name: TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ30S06M3L(T6L1NQTR-ND
Price: 61.3228 CZK
Availability: InStock

P-kanál 60 V 30A (Ta) 68W (Tc) Montáž na povrch DPAK+

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Číslo produktu DigiKey	264-TJ30S06M3L(T6L1NQTR-ND - Páska a cívka (TR) 264-TJ30S06M3L(T6L1NQCT-ND - Řezaná páska (CT) 264-TJ30S06M3L(T6L1NQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Popis	MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 30A (Ta) 68W (Tc) Montáž na povrch DPAK+
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TJ30S06M3L(T6L1,NQ Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3V při 1mA
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 80 nC @ 10 V
Řada U-MOSVI	Vgs (max) +10V, -20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3950 pF @ 10 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 68W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Dodávaná velikost pouzdra DPAK+
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 30A (Ta)	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Základní číslo produktu TJ30S06
Rds zap (max) při Id, Vgs 21,8mOhm při 15A, 10V