Name: TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ30S06M3L(T6L1NQTR-ND
Price: 40.3293 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Číslo produktu DigiKey	264-TJ30S06M3L(T6L1NQTR-ND - Páska a cívka (TR) 264-TJ30S06M3L(T6L1NQCT-ND - Řezaná páska (CT) 264-TJ30S06M3L(T6L1NQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Popis	MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 30A (Ta) 68W (Tc) Montáž na povrch DPAK+
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TJ30S06M3L(T6L1,NQ Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	U-MOSVI
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	30A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	21,8mOhm při 15A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (max)	+10V, -20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3950 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	68W (Tc)
Provozní teplota	175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	DPAK+
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	TJ30S06